STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC STS5NF60L
- N° de stock RS:
- 795-8868
- Référence fabricant:
- STS5NF60L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
7,18 €
(TVA exclue)
8,69 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 0,718 € | 7,18 € |
| 20 + | 0,682 € | 6,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 795-8868
- Référence fabricant:
- STS5NF60L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Height 1.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics DeepGate 5 A 8-Pin SOIC STS5NF60L
- STMicroelectronics DeepGate 120 A 3-Pin TO-220 STP260N6F6
- STMicroelectronics DeepGate 80 A 3-Pin DPAK STD80N4F6
- STMicroelectronics DeepGate 110 A 3-Pin TO-220 STP240N10F7
- STMicroelectronics DeepGate 120 A 3-Pin TO-220 STP360N4F6
- STMicroelectronics DeepGate 75 A 3-Pin IPAK STU75N3LLH6
- STMicroelectronics STripFET Dual N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin SOIC STS4DNF60L
- STMicroelectronics DeepGate 110 A 3-Pin H2PAK-2 STH150N10F7-2
