STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH150N10F7-2

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860-7523
Référence fabricant:
STH150N10F7-2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

H2PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

117nC

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.8mm

Width

10.57 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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