onsemi 2V7002K Type N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 163-2026
- Référence fabricant:
- 2V7002KT1G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
114,00 €
(TVA exclue)
138,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,038 € | 114,00 € |
| 9000 + | 0,027 € | 81,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 163-2026
- Référence fabricant:
- 2V7002KT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 320mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | 2V7002K | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 420mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 320mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series 2V7002K | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 420mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Liens connexes
- onsemi 2V7002K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 2V7002KT1G
- onsemi NDS7002A Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002KW Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi MMBF170L Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002L Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002K Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
