onsemi NTS2101P Type P-Channel MOSFET, 1.5 A, 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- N° de stock RS:
- 163-1139
- Référence fabricant:
- NTS2101PT1G
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
351,00 €
(TVA exclue)
426,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,117 € | 351,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 163-1139
- Référence fabricant:
- NTS2101PT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 8V | |
| Series | NTS2101P | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 8V | ||
Series NTS2101P | ||
Package Type SOT-323 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Liens connexes
- onsemi NTS2101P Type P-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 NTS2101PT1G
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN358P
- ROHM RU1C002ZP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL
- DiodesZetex DMP31 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMP2900 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1