Références fabricant

Nexperia PMCM4401VNE N-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 4-Pin WLCSP PMCM4401VNEAZ

N° de stock RS:: 153-2851
Référence fabricant:: PMCM4401VNEAZ
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PMCM4401VNE N-Channel MOSFET, 6 A, 12 V Enhancement, 4-Pin WLCSP PMCM4401VNEAZ

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 153-2851
Référence fabricant:: PMCM4401VNEAZ
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Package Type	WLCSP
	Series	PMCM4401VNE
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	120mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	12.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.16mm
	Width	0.81mm
	Standards/Approvals	No
	Length	0.81mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Package Type WLCSP
	Series PMCM4401VNE
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 12.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.16mm
	Width 0.81mm
	Standards/Approvals No
	Length 0.81mm
	Automotive Standard No

N-channel MOSFETs ≤ 20 V, Get the optimum switching solutions for your portable designs, Choose from a wide range of single and dual N-channel MOSFETs up to 20 V. Great reliability due to our trusted TrenchMOS and package technologies. Easy-to-use, our low voltage MOSFETs are designed specifically to meet the demands of portable applications with low drive voltages.

12V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Ultra small package: 0.78 x 0.78 x 0.35 mm

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

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