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Nexperia Single 1 N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB43UNEZ

N° de stock RS:: 153-1890
Référence fabricant:: PMXB43UNEZ
Fabricant:: Nexperia

Nexperia Single 1 N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB43UNEZ

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 153-1890
Référence fabricant:: PMXB43UNEZ
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	120mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Maximum Power Dissipation Pd	8.33W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	1.15mm
	Width	1.05mm
	Height	360μm
	Number of Elements per Chip	1

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Maximum Power Dissipation Pd 8.33W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 1.15mm
	Width 1.05mm
	Height 360μm
	Number of Elements per Chip 1

N-channel MOSFETs ≤ 20 V, Get the optimum switching solutions for your portable designs, Choose from a wide range of single and dual N-channel MOSFETs up to 20 V. Great reliability due to our trusted TrenchMOS and package technologies. Easy-to-use, our low voltage MOSFETs are designed specifically to meet the demands of portable applications with low drive voltages.

20 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

Very low Drain-Source on-state resistance RDSon = 42 mΩ

1 kV ESD protected

Low-side load switch and charging switch for portable devices

Power management in battery-driven portables

LED driver

DC-to-DC converters

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