Nexperia BUK9M2880E Type N-Channel MOSFET, 33 A, 80 V Enhancement, 4-Pin LFPAK BUK9M28-80EX

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153-0774
Référence fabricant:
BUK9M28-80EX
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

BUK9M2880E

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

0.9mm

Width

2.6 mm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

N-channel 80 V, 28 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33, Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK33 (Power33) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.

Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C

12 V, 24 V and 48 V automotive systems

Motors, lamps and solenoid control

Transmission control

Ultra high performance power switching

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