IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 146-4372
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-331
- Référence fabricant:
- IXFH60N65X2
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
11,93 €
(TVA exclue)
14,44 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 270 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 11,93 € |
| 5 - 9 | 11,37 € |
| 10 + | 10,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 146-4372
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-331
- Référence fabricant:
- IXFH60N65X2
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | HiperFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 780W | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.34mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 302-53-331 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series HiperFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 780W | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.34mm | ||
Length 16.13mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 302-53-331 | ||
Low R and Q
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
DC-DC Converters
PFC Circuits
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
Liens connexes
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247 IXFH60N65X2
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247 IXFH80N65X2
- IXYS HiperFET 46 A 3-Pin TO-247 IXFH46N65X2
- IXYS HiperFET 34 A 3-Pin TO-247 IXFH34N65X2
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-268HV IXFT60N65X2HV
- IXYS HiperFET 60 A 3-Pin TO-247 IXFH60N50P3
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin TO-247 IXFH80N25X3
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 650 V, 4-Pin SOT-227 IXFN170N65X2