IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N65X2

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146-4234
Référence fabricant:
IXFH60N65X2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

HiperFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

21.34mm

Length

16.13mm

Width

5.21 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Low R and Q

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

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