Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 43 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP180N10N3GXKSA1

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145-8721
Référence fabricant:
IPP180N10N3GXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

43A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-220

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

15.95mm

Length

10.36mm

Width

4.57 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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