Références fabricant

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF

N° de stock RS:: 145-8642
Référence fabricant:: IRFU4510PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF

Sous-total (1 tube de 75 unités)*

112,275 €

(TVA exclue)

135,825 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	le tube*
75 +	1,497 €	112,28 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 145-8642
Référence fabricant:: IRFU4510PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	56 A
	Maximum Drain Source Voltage	100 V
	Series	HEXFET
	Package Type	IPAK (TO-251)
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	13.9 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	4V
	Minimum Gate Threshold Voltage	2V
	Maximum Power Dissipation	143 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Length	6.73mm
	Number of Elements per Chip	1
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Width	2.39mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	54 nC @ 10 V
	Transistor Material	Si
	Height	6.22mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 56 A
	Maximum Drain Source Voltage 100 V
	Series HEXFET
	Package Type IPAK (TO-251)
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 13.9 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 4V
	Minimum Gate Threshold Voltage 2V
	Maximum Power Dissipation 143 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Length 6.73mm
	Number of Elements per Chip 1
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Width 2.39mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 10 V
	Transistor Material Si
	Height 6.22mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

Pays d'origine :: MX

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRFU4510PBF

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