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Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF

N° de stock RS:: 130-0970
Référence fabricant:: IRF9362TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF

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N° de stock RS:: 130-0970
Référence fabricant:: IRF9362TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	32mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 32mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

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