ROHM RUC002N05 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SC-70 RUC002N05T116
- N° de stock RS:
- 124-6837
- Référence fabricant:
- RUC002N05T116
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 100 unités)*
5,80 €
(TVA exclue)
7,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 2 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,058 € | 5,80 € |
| 500 - 900 | 0,031 € | 3,10 € |
| 1000 - 2400 | 0,029 € | 2,90 € |
| 2500 - 4900 | 0,029 € | 2,90 € |
| 5000 + | 0,028 € | 2,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 124-6837
- Référence fabricant:
- RUC002N05T116
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Package Type | SC-70 | |
| Series | RUC002N05 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.15mm | |
| Width | 1.5 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Package Type SC-70 | ||
Series RUC002N05 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.15mm | ||
Width 1.5 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Liens connexes
- ROHM RU1J002YN N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 RU1J002YNTCL
- ROHM N-Channel MOSFET 50 V SOT-723 RYM002N05T2CL
- ROHM RU1C002ZP P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 RU1C002ZPTCL
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 BSS138W-7-F
- ROHM RUC N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-23 RUC002N05HZGT116
- ROHM RYC002N05 N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-23 RYC002N05T316
- ROHM RUM002N05 N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-723 RUM002N05T2L
- ROHM BSS N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-323 BSS138WAHZGT106
