Renesas Electronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 RJK0651DPB-00#J5
- N° de stock RS:
- 234-7154
- Référence fabricant:
- RJK0651DPB-00#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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|---|---|---|
| 2500 + | 0,735 € | 1 837,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 234-7154
- Référence fabricant:
- RJK0651DPB-00#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Renesas Electronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Renesas Electronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 60 V. It is capable of 4.5 V gate drive.
High speed switching
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
Pb-free
Halogen-free
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