Références fabricant

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN66D0LDW-7

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

516,00 €

(TVA exclue)

624,00 €

(TVA incluse)

Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 6000	0,172 €	516,00 €
9000 +	0,164 €	492,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	115 mA
	Maximum Drain Source Voltage	60 V
	Package Type	SOT-363 (SC-88)
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance	6 Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	2V
	Maximum Power Dissipation	250 mW
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Transistor Material	Si
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Number of Elements per Chip	2
	Width	1.35mm
	Length	2.2mm
	Height	1mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 115 mA
	Maximum Drain Source Voltage 60 V
	Package Type SOT-363 (SC-88)
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance 6 Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 2V
	Maximum Power Dissipation 250 mW
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Transistor Material Si
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Number of Elements per Chip 2
	Width 1.35mm
	Length 2.2mm
	Height 1mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Liens connexes