Nexperia BST82 Type N-Channel MOSFET, 190 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BST82,215

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112-5548
Référence fabricant:
BST82,215
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

190mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-23

Series

BST82

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.6V

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Power Dissipation Pd

830mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Height

1mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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