STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 2.5 A, 1.5 kV Enhancement, 3-Pin H2PAK STH3N150-2

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792-5861
Référence fabricant:
STH3N150-2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.5kV

Package Type

H2PAK

Series

MDmesh

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

15.8mm

Height

4.8mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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