Vishay TrenchFET P-Channel Automotive MOSFET, -4.4 A, 60 V MOSFET, 8-Pin SO-8 SQ4961CEY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 790-420
- Référence fabricant:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 790-420
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- SQ4961CEY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Automotive MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -4.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.085Ω | |
| Channel Mode | MOSFET | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Automotive MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -4.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.085Ω | ||
Channel Mode MOSFET | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
The Vishay Power MOSFET offers high performance in automotive applications, featuring a dual P-channel configuration designed to effectively manage voltage up to 60V while operating in extreme temperature conditions of 175 °C.
AEC Q101 qualified for automotive reliability
100% R and UIS testing ensures consistent operation
Dual P-channel configuration increases design flexibility
Low on-state resistance enhances energy efficiency
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