Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 28 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R075M2HXTMA1

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

4,56 €

(TVA exclue)

5,52 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 03 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 94,56 €
10 - 493,70 €
50 - 992,83 €
100 +2,27 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
762-918
Référence fabricant:
IMBG65R075M2HXTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolSiC

Package Type

PG-TO263-7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

124W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
The Infineon CoolSiC MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfill the ever‑growing system and market needs.

Ultra‑low switching losses

Enhances system robustness and reliability

Facilitates great ease of use and integration

Reduces the size, weight and bill of materials of the systems

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.