Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 99 A, 400 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA40R015M2HXKSA1

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762-902
Référence fabricant:
IMZA40R015M2HXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

99A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Series

CoolSiC

Package Type

TO-247-4

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

62nC

Forward Voltage Vf

4.3V

Maximum Power Dissipation Pd

273W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

21.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET is Ideal for high frequency switching and synchronous rectific and features Benchmark gate threshold voltage. Additionally it features XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance.

100% avalanche tested

Recommended gate driving voltage

Qualified for industrial applications

Used for energy storage, UPS and battery formation

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