Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET, 26.6 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 IMZA65R075M2HXKSA1
- N° de stock RS:
- 762-920
- Référence fabricant:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolSiC | |
| Package Type | TO-247-4 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 111W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 21.1mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolSiC | ||
Package Type TO-247-4 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 111W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 21.1mm | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Infineon CoolSiC MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfill the ever‑growing system and market needs.
Ultra‑low switching losses
Enhances system robustness and reliability
Facilitates great ease of use and integration
Reduces the size, weight and bill of materials of the systems
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