Vishay E Series N channel-Channel MOSFET, 88 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247AD SIHL026N65E-GE3

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N° de stock RS:
735-233
Référence fabricant:
SIHL026N65E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

88A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247AD

Series

E Series

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.026Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

157nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

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