Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -0.84 A, -150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2325CES-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 735-220
- Référence fabricant:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
0,32 €
(TVA exclue)
0,39 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,32 € |
| 25 - 99 | 0,22 € |
| 100 + | 0,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 735-220
- Référence fabricant:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -0.84A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -150V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 2.64 mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -0.84A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -150V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 2.64 mm | ||
Height 1.12mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2303CES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2389ES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2337ES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2308CES-T1_GE3