Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -0.84 A, -150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2325CES-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 735-220
- Référence fabricant:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 735-220
- Référence fabricant:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -0.84A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -150V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.12mm | |
| Width | 2.64mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -0.84A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -150V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.12mm | ||
Width 2.64mm | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
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