Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs, 75 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB175N20NM6ATMA1
- N° de stock RS:
- 690-440
- Référence fabricant:
- IPB175N20NM6ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Visuel non contractuel
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,72 €
(TVA exclue)
14,18 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,344 € | 11,72 € |
| 50 - 245 | 1,898 € | 9,49 € |
| 250 - 495 | 1,454 € | 7,27 € |
| 500 + | 1,164 € | 5,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 690-440
- Référence fabricant:
- IPB175N20NM6ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Législations et de normes
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | OptiMOS 6 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 10.20 mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 4.50mm | |
| Standards/Approvals | ISO 128-30, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series OptiMOS 6 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 10.20 mm | ||
Length 15.9mm | ||
Height 4.50mm | ||
Standards/Approvals ISO 128-30, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Liens connexes
- Infineon OptiMOS 6 Type N-Channel Single MOSFETs 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP175N20NM6AKSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB107N20N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB020NE7N3GATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N08S2L07ATMA1
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263