Vishay SIR4411DP Type P-Channel Single MOSFETs, -48.3 A, -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-194
- Référence fabricant:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
0,78 €
(TVA exclue)
0,94 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 5 990 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,78 € |
| 25 - 99 | 0,76 € |
| 100 - 499 | 0,74 € |
| 500 - 999 | 0,64 € |
| 1000 + | 0,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-194
- Référence fabricant:
- SIR4411DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -48.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIR4411DP | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.011Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.25 mm | |
| Length | 5.15mm | |
| Height | 0.61mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -48.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIR4411DP | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.011Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.25 mm | ||
Length 5.15mm | ||
Height 0.61mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay TrenchFET Gen IV P-Channel Power MOSFET rated for 40 V drain-source voltage. It features low RDS(on) and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power management. Packaged in a Compact PowerPAK SO-8, it's Ideal for DC/DC converters, load switching, and battery management in space-constrained designs.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SIR4411DP Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4411DP-T1-GE3
- Vishay SIRA14DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA18DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK