Vishay SQ2389CES Type P-Channel Single MOSFETs, -4.1 A, -40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2389CES-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 653-158
- Référence fabricant:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
627,00 €
(TVA exclue)
759,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 26 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,209 € | 627,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-158
- Référence fabricant:
- SQ2389CES-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -4.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | SQ2389CES | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.094Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 2.64 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -4.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series SQ2389CES | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.094Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 2.64 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay automotive-grade P-channel MOSFET designed for compact, low-voltage switching applications. It supports up to 40 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in a space-saving SOT-23 format, it utilizes TrenchFET technology for efficient performance in thermally constrained environments.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SQ2389CES P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin SOT-23 SQ2389CES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin SOT-23 SQ2389ES-T1_GE3
- Vishay SQ3419CEV P-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin SOT-23 SQ3419CEV-T1_GE3
- Vishay P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2361ES-T1_GE3
- Vishay SQ2361CES P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2361CES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET 80 V, 3-Pin SOT-23 SQ2337ES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3
- Vishay SQ2351CES P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 SQ2351CES-T1_GE3
