Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-120
- Référence fabricant:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
0,44 €
(TVA exclue)
0,53 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 2 955 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,44 € |
| 25 - 99 | 0,43 € |
| 100 - 499 | 0,42 € |
| 500 - 999 | 0,36 € |
| 1000 + | 0,34 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-120
- Référence fabricant:
- SQJ190ELP-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SQJ190 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.058Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Height | 1.07mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 5.13mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SQJ190 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.058Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Height 1.07mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 5.13mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive-grade N-channel MOSFET engineered for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 100 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET technology for optimized thermal and electrical performance.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3
- Vishay SQ2310CES Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ114EL Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ14 Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SQS146 Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQS178EL Type N-Channel Single MOSFETs 72 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK