Références fabricant

Vishay SQJ190 N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3

N° de stock RS:: 653-119
Référence fabricant:: SQJ190ELP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQJ190 N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3

Actuellement indisponible

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Produit de remplacement

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Vishay SQJ190 N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

N° de stock RS: 653-120

1 ruban de 1

0,70 €

(TVA exclue)

0,85 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:: 653-119
Référence fabricant:: SQJ190ELP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	19.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SQJ190
	Package Type	PowerPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.058Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	45W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.07mm
	Width	6.22mm
	Length	5.13mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 19.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SQJ190
	Package Type PowerPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.058Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 45W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.07mm
	Width 6.22mm
	Length 5.13mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ190ELP-T1_GE3

The Vishay Automotive-grade N-channel MOSFET engineered for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 100 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET technology for optimized thermal and electrical performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

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