Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs, 19.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3

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653-119
Référence fabricant:
SQJ190ELP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

19.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SQJ190

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.058Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.07mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

5.13mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive-grade N-channel MOSFET engineered for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 100 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET technology for optimized thermal and electrical performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

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