Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs, 413 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-125
- Référence fabricant:
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
3,53 €
(TVA exclue)
4,27 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,53 € |
| 10 - 24 | 3,42 € |
| 25 - 99 | 3,36 € |
| 100 - 499 | 2,87 € |
| 500 + | 2,69 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-125
- Référence fabricant:
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 413A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJQ140ER | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00065Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 288nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 8 mm | |
| Length | 10.42mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 413A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJQ140ER | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00065Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 288nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 8 mm | ||
Length 10.42mm | ||
Height 1.6mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay automotive-grade N-channel MOSFET engineered for high-efficiency switching in compact, power-dense systems. It supports up to 40 V drain-source voltage and delivers exceptional current handling with up to 413 A at 175 °C. Housed in a thin PowerPAK 8x8LR package, it leverages TrenchFET Gen IV technology for ultra-low RDS(on) and superior thermal performance.
AEC Q101 qualified
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJQ140ER-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ140E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ14 Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SQS146 Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ14 Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK SQJQ142ER-T1_GE3
- Vishay SQS146 Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SQS146ELNW-T1_GE3