Vishay SISS32LDN Type N-Channel Single MOSFETs, 63 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-104
- Référence fabricant:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
1,27 €
(TVA exclue)
1,54 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,27 € |
| 25 - 99 | 1,24 € |
| 100 - 499 | 1,21 € |
| 500 - 999 | 1,04 € |
| 1000 + | 0,98 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-104
- Référence fabricant:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 63A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SISS32LDN | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0072Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 63A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SISS32LDN | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0072Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.75mm | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TH
The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a Compact PowerPAK 1212-8S, it's Ideal for DC/DC converters, synchronous rectification, motor control, and battery/load switching.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SISS32LDN Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS32LDN-T1-BE3
- Vishay SIR680LDP N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR680LDP-T1-BE3
- Vishay SISS30DN N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS30DN-T1-BE3
- Vishay SiSS32ADN Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS32ADN Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS32ADN-T1-GE3
- Vishay SIR5812DP Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5812DN Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5812DN Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5812DN-T1-GE3