Microchip 2N6660 Type N-Channel Single MOSFETs, 410 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-39 2N6660

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N° de stock RS:
649-369
Référence fabricant:
2N6660
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

410mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

2N6660

Package Type

TO-39

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.25W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Lead (Pb)-free/RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
TH
The Microchip N-Channel, Enhancement-Mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This com-binational produces a device with the power-handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low Ciss and fast switching speeds

Excellent thermal stability

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