Microchip TN0106 Type N-Channel Single MOSFETs, 3.4 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0106N3-G

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598-395
Référence fabricant:
TN0106N3-G
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-92

Series

TN0106

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Minimum Operating Temperature

150°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.82in

Length

0.205in

Width

0.165 in

Automotive Standard

No

The Microchip N Channel Enhancement-Mode Vertical low-threshold transistor is built using a vertical DMOS structure and a well-established silicon-gate manufacturing process. This design combines the power handling capabilities of bipolar transistors with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices. Like all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

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