ROHM RS7E200 Type N-Channel Single MOSFETs, 390 A, 30 V Enhancement, 8-Pin DFN5060-8S RS7E200BGTB1
- N° de stock RS:
- 646-623
- Référence fabricant:
- RS7E200BGTB1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 2 unités)*
5,76 €
(TVA exclue)
6,96 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,88 € | 5,76 € |
| 20 - 98 | 2,53 € | 5,06 € |
| 100 - 198 | 2,275 € | 4,55 € |
| 200 + | 1,805 € | 3,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 646-623
- Référence fabricant:
- RS7E200BGTB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 390A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | DFN5060-8S | |
| Series | RS7E200 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.67mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 180W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb Free, Halogen Free, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 390A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type DFN5060-8S | ||
Series RS7E200 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.67mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 180W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb Free, Halogen Free, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET with low on resistance and high power package suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
Pd free plating
RoHS compliant
Halogen free
100% Rg and UIS tested
Liens connexes
- ROHM RS7N160 Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin DFN5060-8S RS7N160BHTB1
- ROHM RS7N200 Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin DFN5060-8S RS7N200BHTB1
- ROHM RS6R060BH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement HSOP-8S RS6R060BHTB1
- ROHM RS6P100BH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8S
- ROHM RS6P100BH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8S RS6P100BHTB1
- ROHM RF9P120BKFRA Type N-Channel Single MOSFETs 6-Pin DFN2020Y7LSAA RF9P120BKFRATCR
- ROHM RH7G04CBKFRA Type N-Channel Single MOSFETs 8-Pin DFN3333T8LSAB RH7G04CBKFRATCB
- ROHM RY7P250BM Type N-Channel Single MOSFETs 8-Pin DFN8080T8LSHAAI RY7P250BMTBC