Infineon IMBG65 Type N-Channel MOSFET, 68 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R026M2H
- N° de stock RS:
- 351-962
- Référence fabricant:
- IMBG65R026M2H
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
13,04 €
(TVA exclue)
15,78 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 13,04 € |
| 10 - 99 | 11,74 € |
| 100 + | 10,83 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 351-962
- Référence fabricant:
- IMBG65R026M2H
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 68A | |
| Output Power | 263W | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IMBG65 | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.2mm | |
| Height | 4.5mm | |
| Width | 9.45 mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 68A | ||
Output Power 263W | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IMBG65 | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.2mm | ||
Height 4.5mm | ||
Width 9.45 mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a D2PAK-7 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.
Enables BOM savings
Highest reliability
Enables top efficiency and power density
Ease of use
Full compatibility with existing vendors
Allows designs without fan or heatsink
Liens connexes
- Infineon IMBG65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R060M2H
- Infineon IMBG65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R009M1HXTMA1
- Infineon IMBG65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R033M2H
- Infineon IMBG65 SiC N-Channel MOSFET 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R010M2H
- Infineon AIK SiC N-Channel MOSFET 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1
- Infineon IMB SiC N-Channel MOSFET 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R050M2HXTMA1
- Infineon IMB SiC N-Channel MOSFET 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R020M2HXTMA1
- Infineon IMB SiC N-Channel MOSFET 650 V, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R040M2HXTMA1
