Infineon IPDQ60 Type N-Channel MOSFET, 174 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T010S7AXTMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

32,32 €

(TVA exclue)

39,11 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 750 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 932,32 €
10 - 9929,10 €
100 +26,82 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
351-944
Référence fabricant:
IPDQ60T010S7AXTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPDQ60

Package Type

PG-HDSOP-22

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

318nC

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.1mm

Standards/Approvals

AEC Q101

Height

2.35mm

Width

15.5 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
The Infineon CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while enabling easy implementation and functional safety. The device is optimized for low-frequency and high-current switching applications. It is an ideal fit for solid-state relay, Battery Disconnect, and eFuses.

Minimized conduction losses

Increased system performances

Allowing more compact design over EMR

Lower TCO over prolonged time

Enabling higher power density designs

Reduction of external sensing elements

Best utilization of power transistor

Liens connexes