Infineon FS13MR12W2M1H_C55 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 1200 V Enhancement EasyPACK FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 unité)*

438,94 €

(TVA exclue)

531,12 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 18 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +438,94 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
348-980
Référence fabricant:
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

EasyPACK

Series

FS13MR12W2M1H_C55

Mount Type

Screw

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

5.35V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

23 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Six-Pack Module incorporates CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 technology, delivering exceptional performance for power applications. It comes in a best-in-class package with a compact 12 mm height, ensuring efficient space utilization while maintaining high performance. The module utilizes leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, offering superior efficiency and thermal management.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Liens connexes