onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247-3L NTHL023N065M3S
- N° de stock RS:
- 277-044
- Référence fabricant:
- NTHL023N065M3S
- Fabricant:
- onsemi
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- NTHL023N065M3S
- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247-3L | |
| Series | NTH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 263W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247-3L | ||
Series NTH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 263W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The ON Semiconductor SiC MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive.
Ultra low gate charge
High speed switching with low capacitance
100% avalanche tested
Device is Halide Free and RoHS compliant
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