ROHM SCT Type N-Channel MOSFET, 17 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT3160KWAHRTL
- N° de stock RS:
- 265-380
- Référence fabricant:
- SCT3160KWAHRTL
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 10 unités)*
63,31 €
(TVA exclue)
76,61 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,331 € | 63,31 € |
| 100 + | 6,014 € | 60,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-380
- Référence fabricant:
- SCT3160KWAHRTL
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-263-7LA | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 208mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 3.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 18 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.2 mm | |
| Length | 15.4mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Height | 4.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-263-7LA | ||
Series SCT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 208mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 3.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.2 mm | ||
Length 15.4mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Height 4.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM MOSFET is an AEC-Q101 qualified automotive grade SiC trench MOSFET. It features high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed, making it an ideal choice for demanding automotive applications that require efficient and reliable performance.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Liens connexes
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT3160KWATL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7LA SCT4062KWAHRTL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3160KW7TL
- ROHM SCT4036KWA Type N-Channel Single MOSFETs 1200 V Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4036KWATL
- ROHM SCT4018KWA Type N-Channel Single MOSFETs 1200 V Enhancement, 8-Pin TO-263-7LA SCT4018KWATL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263