ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6004END4TL1
- N° de stock RS:
- 264-851
- Référence fabricant:
- R6004END4TL1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 264-851
- Référence fabricant:
- R6004END4TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | R60 | |
| Package Type | SOT-223-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.98Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 9.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series R60 | ||
Package Type SOT-223-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.98Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 9.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 600V 2.4A SOT-223-3 Low-noise Power MOSFET is suitable for switching power supply.
Low on-resistance
Low radiation noise
Fast switching
Parallel use is easy
Pb-free plating and RoHS compliant
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