onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS1D3N04XMT1G
- N° de stock RS:
- 220-599
- Référence fabricant:
- NTMFS1D3N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 220-599
- Référence fabricant:
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- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN-5 | |
| Series | NTMFS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 90W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN-5 | ||
Series NTMFS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 90W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1mm | ||
Length 6.15mm | ||
Width 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Halogen Free
RoHS Compliant
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