onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET, 111 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS2D3N04XMT1G
- N° de stock RS:
- 220-602
- Référence fabricant:
- NTMFS2D3N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
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| 250 - 490 | 0,403 € | 4,03 € |
| 500 - 990 | 0,371 € | 3,71 € |
| 1000 + | 0,358 € | 3,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 220-602
- Référence fabricant:
- NTMFS2D3N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 111A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTMFS | |
| Package Type | DFN-5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6 mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 111A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTMFS | ||
Package Type DFN-5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6 mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Halogen Free
RoHS Compliant
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