onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET, 233 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS1D1N04XMT1G
- N° de stock RS:
- 220-597
- Référence fabricant:
- NTMFS1D1N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 220-597
- Référence fabricant:
- NTMFS1D1N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 233A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTMFS | |
| Package Type | DFN-5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49.1nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6.15mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 233A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTMFS | ||
Package Type DFN-5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49.1nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6.15mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Halogen Free
RoHS Compliant
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