onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET, 181 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS2D5N08XT1G
- N° de stock RS:
- 220-603
- Référence fabricant:
- NTMFS2D5N08XT1G
- Fabricant:
- onsemi
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| 100 - 495 | 2,404 € | 12,02 € |
| 500 - 995 | 2,208 € | 11,04 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 220-603
- Référence fabricant:
- NTMFS2D5N08XT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 181A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN-5 | |
| Series | NTMFS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 148W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 181A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN-5 | ||
Series NTMFS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 148W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1mm | ||
Length 6.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Halogen Free
RoHS Compliant
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