Nexperia NSF060120D7A0 Type N-Channel MOSFET, 38.27 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NSF060120D7A0J
- N° de stock RS:
- 219-446
- Référence fabricant:
- NSF060120D7A0J
- Fabricant:
- Nexperia
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38.27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NSF060120D7A0 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38.27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NSF060120D7A0 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Nexperia SiC Power MOSFET comes in a compact 7-pin TO-263 plastic package for surface mounting on PCBs. Its excellent RDS(on) temperature stability and fast switching speed make it ideal for high-power, high-voltage industrial applications, including electric vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.
Fast reverse recovery
Fast switching speed
Temperature independent turn off switching losses
Very fast and robust intrinsic body diode
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