Nexperia NSF030120D7A0 Type N-Channel MOSFET, 67 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NSF030120D7A0J
- N° de stock RS:
- 219-443
- Référence fabricant:
- NSF030120D7A0J
- Fabricant:
- Nexperia
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 67A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NSF030120D7A0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 306W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
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|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 67A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NSF030120D7A0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 306W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Nexperia SiC Power MOSFET comes in a compact 7-pin TO-263 plastic package for surface mounting on PCBs. Its excellent RDS(on) temperature stability and fast switching speed make it ideal for high-power, high-voltage industrial applications, including electric vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.
Fast reverse recovery
Fast switching speed
Temperature independent turn off switching losses
Very fast and robust intrinsic body diode
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