Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R0-30YLE,115
- N° de stock RS:
- 219-316
- Référence fabricant:
- PSMN2R0-30YLE,115
- Fabricant:
- Nexperia
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 219-316
- Référence fabricant:
- PSMN2R0-30YLE,115
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | PSM | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 238W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series PSM | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 238W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The Nexperia N-Channel MOSFET is housed in an LFPAK package and qualified to 175°C. It is designed for a wide range of industrial, communications, and domestic applications. Key uses include electronic fuse, hot swap, load switch, and soft start.
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
Very low Rdson for low conduction losses
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