STMicroelectronics SCT 1 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT070W120G3-4
- N° de stock RS:
- 214-964
- Référence fabricant:
- SCT070W120G3-4
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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- N° de stock RS:
- 214-964
- Référence fabricant:
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Series | SCT | |
| Package Type | Hip-247-4 | |
| Pin Count | 4 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Series SCT | ||
Package Type Hip-247-4 | ||
Pin Count 4 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using STs Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
