IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 14 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH14N60P

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N° de stock RS:
194-063
Référence fabricant:
IXFH14N60P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

38 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

5.3mm

Length

16.26mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.46mm

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

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