Références fabricant

STMicroelectronics MDmesh II N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N

N° de stock RS:: 151-951
Référence fabricant:: STD13NM60N
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh II N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 151-951
Référence fabricant:: STD13NM60N
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	MDmesh II
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.36Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	6.6mm
	Length	10.1mm
	Height	2.4mm
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series MDmesh II
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.36Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 6.6mm
	Length 10.1mm
	Height 2.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STD13NM60N

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

100% avalanche tested

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

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