STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 730,00 €

(TVA exclue)

3 302,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +1,092 €2 730,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
151-951
Référence fabricant:
STD13NM60N
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

MDmesh II

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.36Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2.4mm

Width

6.6 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

100% avalanche tested

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

Liens connexes