STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 1 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

870,00 €

(TVA exclue)

1 052,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 12 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,348 €870,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
920-8727
Référence fabricant:
STD1NK60T4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

30W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.6mm

Height

2.4mm

Width

6.2 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


Liens connexes